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向低溫等離子和光催化氧化技術(shù)亂象說NO

返回列表 瀏覽:- 發(fā)布日期:2018-03-27 10:12:31【

光氧催化

井噴式爆發(fā)的VOCs市場,召喚出了大小不一、參差不齊的治理公司,至于治理技術(shù),也算是重溫了“百家爭鳴、百花齊放”的盛況。在VOCs治理這件事上,南北方還是有一定的默契,一改因粽子、月餅和餃子等吃法差異就吵得不可開交的毛病。毫無疑問,活性炭吸附、光催化氧化與低溫等離子技術(shù)絕對妥妥得承包VOCs治理市場份額的前三甲,但光環(huán)籠罩下的陰影更值得注意。

日前,由山西省環(huán)保廳發(fā)布的《山西省工業(yè)涂裝、包裝印刷、醫(yī)藥制造行業(yè)揮發(fā)性有機物控制技術(shù)指南》,對低溫等離子與光催化氧化技術(shù)提出以下明確要求:
1)治理設(shè)施的風(fēng)量按照最大廢氣排放量的120%進行設(shè)計。低溫等離子體技術(shù)或光催化技術(shù)單獨使用時,僅適用于處理低濃度有機廢氣或惡臭氣體;治理效率要求更高時,應(yīng)采用多種技術(shù)的組合工藝。對于含油霧、漆霧或顆粒物的廢氣,應(yīng)配置高效過濾等適宜的預(yù)處理工藝。
2)應(yīng)首先明確廢氣組分中最大可能的化學(xué)鍵鍵能。使用低溫等離子體技術(shù)的,需給出處理裝置設(shè)計的電壓、頻率、電場強度、穩(wěn)定電離能等參數(shù),同時出具所用電氣元件的出廠防爆合格證;使用光催化氧化技術(shù)的,需給出所用催化劑種類、催化劑負載量等參數(shù),并出具所用電氣元件的防爆合格證與燈管發(fā)射185nm波段的占比情況檢驗證書。
3)應(yīng)盡量延長廢氣在裝置中的反應(yīng)停留時間,并配備臭氧催化分解單元。
在此,小編更想用自己的理解及部分數(shù)據(jù)來解讀下這兩種技術(shù)。
低溫等離子技術(shù)
電場激發(fā)出的電子、自由基、激發(fā)態(tài)分子(主要是O3等)等活性物質(zhì),是低溫等離子體技術(shù)凈化有機廢氣的關(guān)鍵。VOCs組分解離的難易程度,一方面取決于電子的能量,另一方面還取決于分子中化學(xué)鍵的鍵能。電子在放電過程中獲得的能量主要集中在2~12 eV之間,而VOCs分子分解所需要能量剛好均在這個區(qū)域內(nèi)。
1、目前,產(chǎn)生低溫等離子體的常用方法是電暈放電和介質(zhì)阻擋放電。
電暈放電,是在大氣壓或高于大氣壓條件下,使用電極表面曲率半徑很小的電極,如針狀電極或細線狀電極,由于放電空間電場不均勻,使電離過程主要局限于局部電場很高的電極附近,特別是發(fā)生在曲率半徑很小的電極附近或薄層中,并伴隨明顯光亮的放電現(xiàn)象,一般都發(fā)生在高電壓(大于5kv)和較高頻率(20~40kHz)條件下。
介質(zhì)阻擋放電,是絕緣介質(zhì)覆蓋在電極上或者懸掛在放電空間中的一種氣體放電。當(dāng)在電極上施加足夠高的交流電壓,電極之間的氣體發(fā)生電離,而電極間的介質(zhì)能起到儲能作用,限制放電電流的自由增長,進而產(chǎn)生大量細絲狀、延時極短的脈沖微放電,均勻穩(wěn)定地充滿整個放電間隙,同時能抑制級間火花或弧光的產(chǎn)生。
采用介質(zhì)阻擋放電方式的等離子體反應(yīng)器,一般都采用陶瓷、石英等防腐蝕介質(zhì)材料,電極與廢氣不直接接觸,從而可以一定程度避免設(shè)備腐蝕問題。而電暈放電技術(shù)(或針尖放電式)通常是氣體與電極直接接觸的,即使通過的氣體沒有腐蝕性,但等離子體中的活性強氧化物質(zhì)(如臭氧)也可能腐蝕電極。相對而言,采用介質(zhì)阻擋放電方式比電暈放電方式(如針尖放電)更安全。
值得注意的是,低溫等離子體技術(shù)主要是將有機分子中的化學(xué)鍵打斷,但尚未能完全將有機物礦化成CO2和H2O。以某治理項目為例,非甲烷總烴的去除率僅為45%,而惡臭的去除率可達93%。這主要是因為非甲烷總烴經(jīng)過處理后,大分子變成小分子,用色譜法檢測依然表現(xiàn)為非甲烷總烴;而分解過程中產(chǎn)生的部分異味副產(chǎn)物(如臭氧等)亦會對惡臭的去除率有一定影響。
因此,正經(jīng)的低溫等離子體技術(shù)供應(yīng)商,通常還會在等離子反應(yīng)器前配置預(yù)處理系統(tǒng),有效去除廢氣中的粉塵和水分,并且也會在反應(yīng)器后再配置后處理系統(tǒng),延長廢氣與活性物質(zhì)的反應(yīng)時間,同時對多余的活性物質(zhì)(主要是臭氧)進行分解消除。
2、以小編的理解,高壓電源就是低溫等離子技術(shù)的核心。電壓和頻率是電源能量輸出的兩個重要參數(shù)。
氣體中出現(xiàn)的自由電子只有從一定強度的電場中獲得能量成為高能電子,然后才能與氣體分子發(fā)生碰撞,將能量傳遞給該分子,使該氣體分子的外層電子脫離核的束縛,從而產(chǎn)生更多的自由電子和帶正電的離子。
頻率的提高會增加單位時間內(nèi)局部放電的平均脈沖個數(shù),放電的重復(fù)率增加。但研究結(jié)果表明,當(dāng)電壓一定時,污染物的去除率隨頻率的提高先增加后減小。在實際應(yīng)用中,應(yīng)充分考慮電源與等離子體反應(yīng)器的匹配關(guān)系,并充分考慮諧振帶來的影響。
光催化氧化技術(shù)
光催化氧化技術(shù),主要利用光敏催化劑在一定量的光照射下激發(fā)產(chǎn)生的電子-空穴對,與吸附在催化劑面積的溶解氧和水分子等發(fā)生作用,進而產(chǎn)生·OH與·O2-等強氧化性自由基,再通過與污染物的羥基加和、取代、電子轉(zhuǎn)移等方式礦化,最終實現(xiàn)VOCs的降解。說白了,光催化氧化反應(yīng)所需的能量主要來源光照能量。
1TiO2具有較高的化學(xué)穩(wěn)定性和催化活性,且價廉無毒,所以是目前最常用的光催化劑之一。其常用的晶型結(jié)構(gòu)有2種:銳鈦礦型和金紅石型。金紅石型相對更穩(wěn)定,即使在高溫的情況下也難以發(fā)生分解和轉(zhuǎn)化。并且金紅石型TiO2的禁帶寬度為3.0eV,而銳鈦礦型TiO2的禁帶寬度是3.2eV,也就是說,引發(fā)銳鈦礦型TiO2進行光催化反應(yīng)所需的光能量需大于3.2eV,金紅石型TiO2僅需大于3.0eV。對于銳鈦礦型TiO2,紫外光的激發(fā)波長需要小于387.5nm。
2、顧名思義,光催化氧化技術(shù),那肯定得有“光”和“催化劑”共同作用才行。
對于光,有兩個參數(shù):波長與光強。只有吸收了一定波長范圍內(nèi)的光,TiO2催化劑才可以克服其禁帶的能量,在其表面會產(chǎn)生電子-空穴。研究結(jié)果表明,短波長的紫外光,尤其是在185 ~ 254nm,更有利于生成更多的·OH,從而加快光催化反應(yīng)活性。而表示單位時間內(nèi)、通過單位橫截面光能大小的光強,直接決定了紫外光所提供的總能量是否足以使周圍的TiO2全部參與到反應(yīng)中來。所以,光催化過程中要保證反應(yīng)器內(nèi)布光均勻且紫外光達到一定強度。
對于催化劑,其活性組分主要是TiO2。其顆粒粒徑越小,尤其是納米級,比表面與反應(yīng)面就越大,電子-空穴的簡單復(fù)合率就小,光催化活性也就高;若在TiO2中摻雜金屬或非金屬粒子,還可拓展其可接受的光照射響應(yīng)范圍;因為銳鈦礦型具有強吸附氧氣能力,金紅石型具有較高的光利用率,二者的混晶型物質(zhì)在光催化性能方面的表現(xiàn)要比單一晶型物質(zhì)要好。其它影響光催化活性的因素還包括,孔隙率、平均孔徑、表面電荷、焙燒溫度、純度等。
水蒸氣也是在光催化反應(yīng)不可忽視的因素。因為水分子提供了可俘獲空穴的羥基,進而產(chǎn)生自由基·OH,反應(yīng)中適量的水蒸氣有利于反應(yīng)的進行,但如果水蒸氣過多,會在TiO2表面產(chǎn)生競爭吸附,反而不利于光催化的進行。
此外,廢氣的初始濃度和在反應(yīng)器內(nèi)部的停留時間,也直接影響光催化氧化技術(shù)的去除效果。從目前的實驗室數(shù)據(jù)結(jié)果看,在各條件優(yōu)化后的情況下,處理濃度10mg/m3的甲醛尚需30min才能達到70%的去除效率。小編就在想,國內(nèi)的VOCs治理公司應(yīng)該采用的是“宇宙級黑科技”光催技術(shù),用不到3s的反應(yīng)時間處理著不知比10mg/m3高多少倍的VOCs廢氣!

(來源:VOCs管理與技術(shù)交流驛站


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